电子产品反复击穿,电子产品反复击穿会怎么样

摘要： 大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于电子产品反复击穿的问题，于是小编就整理了5个相关介绍电子产品反复击穿的解答，让我们一起看看吧。碳化硅半导体器件随反向电场增加，载...

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于电子产品反复击穿的问题，于是小编就整理了5个相关介绍电子产品反复击穿的解答，让我们一起看看吧。

1. 碳化硅半导体器件随反向电场增加，载流子达到饱和漂移速度，为什么还会因动能继续增大而产生雪崩击穿？
2. 光耦击穿的后果？
3. 导体中的电子会流失吗？
4. 三极管cb击穿什么原因？
5. 电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的？

碳化硅半导体器件随反向电场增加，载流子达到饱和漂移速度，为什么还会因动能继续增大而产生雪崩击穿？

　　半导体的核心在于pn结,pn结是很薄的区域,之所以导通在于,正向电场下,p粒子和n粒子会相向而行,当pn的正负粒子浓度到达一定程度,就会表现出导通性质,这个区域叫耗尽层.耗尽层,在反向电压作用下,pn粒子反向而行,耗尽层加大,耗尽层的离子浓度降低,导电性变差,形成类似绝缘体.

　　我们知道,所有的绝缘体都有击穿电压,击穿就是,在比较大 的电场作用下,绝缘物质的电子脱离绝缘物质原子的束缚,形成导电通道,空气的击穿就是这个原理.而pn结击穿后,电子会获得很大的动能,这个动能有可能破坏半导体的部分化学键,形成更多的自由电子或载流子,这就是所谓的雪崩,这种破坏如果是可以恢复的,就是稳压管,如果不能恢复,二极管就会失效.破坏的区域在耗尽层.

　　巩义千家信耐材主营：耐火材料、化工产品、环保材料、碳化硅、刚玉制品、铝矾土、抛光磨料、活性炭等产品!

光耦击穿的后果？

光耦击穿是指在光耦输入端施加的电压超过光耦的击穿电压，导致光耦内部发生击穿现象，此时光耦输出端会出现无限大的电流。

这种情况会导致电路短路并且可能会损坏其他电子元件或者设备，对电路的正常工作产生负面影响。因此，在设计电路时应该注意光耦的特性和使用条件，防止光耦击穿的发生，确保电路的稳定性和可靠性。

导体中的电子会流失吗？

在导体中，电子并不会流失而是会自由流动。这是因为导体中的原子结构使得电子能够轻易地从一个原子跃迁到另一个原子。

当导体与电源相连时，电子会受到电场的驱动而从电源流向导体，形成电流。

但在一些特殊情况下，如导体受到极高的电场强度或电压时，电子可能会被强大的电场力量推出导体，导致电子流失。这种现象被称为击穿。总体而言，导体中的电子通常是自由流动的而不是流失的。

三极管cb击穿什么原因？

三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。

硬击穿的三极管不能正常工作，通常说烧坏了，需要更换。

出现软击穿的三极管，性能也已经下降很多，一般也应该进行更换，但应急情况下还可暂时坚持工作，只是随时都可能变成硬击穿而完全不能工作。

软击穿。

最典型的例子就是稳压二极管。它就是工作在二极管反向击穿状态的，只要你设定的工作电流没有超过稳压二极管的允许工作电流，则稳压二极管就不会损坏。

就晶体管特性而言，晶体管发射极的击穿电压，是比较低的。

引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。

对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。

当这个反偏电压超过晶体管的BVebo时，晶体管的发射结就会击穿。

三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。

电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的？

谢谢邀请

因为我搞过可靠性问题，所以可以从可靠性角度谈谈电子元件的损坏和可靠性问题。

一.任何电子元件都有寿命问题。每种电子元件的寿命都有技术规定，通常用电子元件的可靠性指标表示，也就是平均无故障工作时间的倒数。例如，电阻的可靠性指标（可靠性指数）约为10^-6左右，即在100万小时内可能有一个故障。这是指该类电阻在正常工作状态下的可靠性。而正常工作状态是指工作在正常的电压、电流，即正常功率负荷的状态下，发生故障的概率。

其它的电子元件都一样，有自己的无故障工作时间。

二.电子设备的可靠性决定于全部电子元件的总体可靠性的乘积。因此，电子设备的可靠性取决于可靠性最差的那些电子元件。

而且，电子设备的设计中，最大的可靠性问题，往往是过热、过载。这就是题主所说的电压电流的过载问题。

应该说电子元件的正常工作状态是设计时必须遵守的，应该不允许或避免这种情况的发生。

如果有也应该在设计时于以考虑。例如，使用交流电供电的设备，应该允许电源电压在220～240伏之间的变化不影响设备的正常工作。所以，实际上电子元件工作状态都是有所保留的。

三.如果单纯从电压电流考虑，那个因素对电子元件工作可靠性影响最大，这要看电子元件本身的性能，有些电子元件比较耐压，有些电子元件比较耐过流。例如电解电容就不能过压，电阻对电压的承受能力就好些（指在短时间过压的耐受能力大）。半导体器件的耐压就很差，过压就意味着过载，过负荷。

实际上，有功率消耗的电子元件，其工作寿命通常取决于其工作状态下的温升！任何电子元件在过高环境温度下工作都会降低寿命。

电子元器件种类繁多，其运行在电路中时损坏方式和原因也是多种多样，既有老化失效损坏，也有过流损坏，更有过压损坏，每一个元件的损坏都可能产生于不同原因。本提问中重点提到了保护电路及保护元件（压敏电阻），当电路两端电压高于问限值时，压敏电阻瞬间击穿（压敏电阻特性:当电压超过特定值时，压敏电阻阻值瞬间急剧下降），此时电源近似被压敏电阻短路，由于短路分流作用，电流全部通过压敏电阻回路，干路中形成极大电流，将回路中保险丝熔断，由此很好地保护了电路的主体部分电路完好。

针对电子元器件的烧毁，题主说的过压和过流都是可能导致的原因，要弄清楚真正原因所在，就必须知道过压导致电子元器件烧毁和过流导致元器件烧毁的原理了，过压的情况即是施加在电子元器件两端电压过大，导致元器件内部被击穿从而被烧毁。而过流则是在一瞬间通过电子元器件的电流远超限制最大电流从而使元件温度瞬间升高，最终导致原件烧毁！

1⃣️用电器或电子元件都设定有额定电压和电流，电压是推动电流强度的必备条件，如果某电源输出符合电流设定标准，此时 就不能提高电压，比方说12V50W的钨丝灯泡用12V20AH的电瓶作电源，显示为正常、你就不能提升为14V供电，那样电流强度就增大，而过度发热马上会烧灯丝、如果你并联十个同样的电瓶，电压还是12V，尽管电容量增加了，为什么不会烧灯丝，这就是因为灯丝的固定电阻产生了固定的阻抗，像瓶颈一样不容许有多余的电流通过，只有你提高电压后，才因为电流强度增大，如果电压过高，电流强度是符合供电要求的，那么只要一通电即会烧断钨丝这又说明了是过压导致的。

2⃣️比如合格的电路板上的电子元件，在图纸上都标注电阻值或电压，维修时可以设法测量局部电压或电流来判定元件好坏，说明这些电阻是用来限流或分压的，如果某个元件损坏便会引起相关元件电压升高而击穿，所以电压是烧毁元件的元凶，你也不能片面强调电压，必须有先提高电压后增大了电流强度的条件，你又不可以用静电高压不触电的理由推翻以上理由、最公道的说法是电流强度提高烧毁电子元件的！

所谓电子元件烧毁是存在过压和过流两种情况的，并不能一概而论。

过压，顾名思义就是加载于原件上的电压过大，使得原件内部材料导电被击穿导致烧毁。

而过流，即为通过原件电流过大，超过原件所能承受最大值，短时间会产生巨大热量，从而烧毁原件。

到此，以上就是小编对于电子产品反复击穿的问题就介绍到这了，希望介绍关于电子产品反复击穿的5点解答对大家有用。